英语缩略词“Hfe”经常作为“Transistor Gain”的缩写来使用，中文表示：“晶体管增益”。本文将详细介绍英语缩写词Hfe所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词Hfe的分类、应用领域及相关应用示例等。

“Hfe”（ 晶体管增益 ）释义

• 英文缩写词：Hfe
• 英文单词：Transistor Gain
• 缩写词中文简要解释：晶体管增益
• 中文拼音：jīng tǐ guǎn zēng yì
• 缩写词流行度：486
• 缩写词分类：Academic & Science
• 缩写词领域：Electronics

以上为Transistor Gain的英文缩略词Hfe的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。

英文缩略词Hfe的扩展资料

As the CMOS technology keeps scapng down, more and more design difficulties are raised for precise or highly pnear analog / RF circuits, mostly due to the decreasing transistor intrinsic gain and the shrinking voltage headroom.
随着CMOS工艺中器件尺寸的不断缩小，精确的或者说高线性的模拟／射频电路面临着越来越多的设计困难，这主要是由晶体管本征增益的降低和可用电压空间的减小导致的。

Transistor matched power gain
晶体管匹配功率增益

Measurement on microwave transistor output power and gain
微波功率晶体管输出功率和增益测试

Meanwhile, polysipcon transistor has positive temperature coefficient of current gain. The transistor has the same temperature property with bulk sipcon with a smaller change of current gain when temperature is varying. 2.
多晶硅三极管的电流增益具有正温度系数，大电流下的电流增益随温度的变化比小电流情况小，该三极管具有和体硅相同的温度特性。

It is shown that the new transistor has more uniform characteristics of current gain at low current level, and an excellent low-frequency noise figure, so that it is a promising low noise device at low frequency with simpler processes.
实验结果表明，漂洗发射极晶体管的小电流增益均匀性好，具有良好的低频噪声特性，是一种工艺比较简化，性能较好的低频低噪声器件。

上述内容是“Transistor Gain”作为“Hfe”的缩写，解释为“晶体管增益”时的信息，以及英语缩略词Hfe所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。